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何进，天津大学电子工程本科毕业，分别从电子科技大学微电子与固体电子学硕士和博士毕业。 北京大学微电子所博士后。 2001-2005年美国伯克利加州大学电子与计算机工程系博士后和研究员。 2005回国任北京大学信息科学技术学院微电子系教授,博士生导师，建立纳太器件和电路研究室。2010年开始任职北京大学深圳系统芯片设计重点实验室室主任。 曾任南通大学和香港科技大学客座教授，中国科学院兼职研究员,日本广岛大学访问教授，UC BERKELEY EECS访问学者和研究员。

半导体芯片厂TSMC，华微电子，深爱半导体，方正微电子等的技术顾问；国际知名EDA公司Agilient， Silvaco, Proplus等的技术合作者。国家科技奖评审专家，教育部长江学者评审专家，国家自然科学基金面上和重大项目评审专家；北京，江苏，广东和深圳科技评审专家，华微电子（上市公司）独立董事。与国内清华大学，复旦大学，天津大学，西安电子科技大学，电子科技大学，中科院微电子所和微系统所，国外美国伯克利加州大学，美国中佛罗里达大学，亚利桑那州立大学，美国奥本大学，日本广岛大学，香港科技大学，香港中文大学，香港城市和理工大学等有过多项科研合作和学术交流。与深圳半导体和IC设计产业界，比如上市公司天马微电子，瑞声声学， 研详智能科技，华微电子等和非上市公司方正微电子，深爱半导体，超多维，海泰康微电子， 安派电子，芯成电子，电通集团，恩普医疗电子等，有广泛的产学研和技术开发关系。曾先后出访和学术交流于美国、日本、加拿大、澳大利亚、新加坡、韩国、台湾、香港、泰国、马来西亚、波兰、澳门等十多个国家和地区的大学和研究院所，并作学术邀请或技术邀请报告30多次。

主要研究领域为微纳电子器件技术，半导体芯片技术和先进集成电路设计。先后参加或主持多个国家973和863项目, 自然科学面上基金和重点基金项目, 高等学校博士点基金项目, 国防预研项目, 部省产学研项目，深圳基础研究一般，重点和布局项目，重点实验室提升项目，重大科技攻关项目，深港创新圈项目，国际合作项目，美国SRC项目等50多项, 且均出色完成课题任务。 在纳米CMOS器件物理和模型、新器件结构、工艺技术和电路设计、电路模型和TCAD等方面的研究工作已发表论文400余篇，被SCI收录150余篇，EI收录200多篇， H因子24，国际引用或下载超过7000余次。 其中，期刊论文150多篇（国际期刊英文论文130多篇， 专业著名期刊超过100篇）， 国内外会议宣读论文250余篇, 包括国际学术会议上作30多次特邀报告。 指导出站博士后7人，在站博士后2人，毕业博士生6人，硕士生25人。

申请中国发明专利34项, 获得授权20项, 6项专利正在与一些半导体制造公司和芯片设计公司进行co-license。申请美国发明专利1项。申请中国软件著作权12项，已获得授权12项。出版中文著作3部:“射频电路设计”(科学出版社,2007年,7月,唯一译著者)、“SYSTEM VERILOG硬件设计及建模”(科学出版社,2007年10月, 合作翻译作者)、“北京大学信息科学技术学科课程体系”（清华大学出版社，合著者）。 出版英文专著“ Nanowire” 中“Silicon-based nanowire MOSFETs: from process and device physics to simulation and modeling ” 一章（Intech press, 2011）、 英文专著“Semiconductor memory”中“Phase change memory: modeling and simulation”一章(CRC Press, 2014)、英文专著“Plasmonics: Principles and Applications” 中“Application of surface plasmon polaritions in CMOS digital imaging”一章(Intech Press,2012)、英文专著“ Toward Quantum FinFET” 中 “ Modeling of FinFETs for CMOS circuit application”一章( Springer Press, 2013)。 出版技术手册两部: BSIM4.3.0 MOSFET model, user’s Manual和Manual of BSIM5,Version 1.0.

先后获得深圳市2014年和2013年自然科学二等奖（个人排名第一）；深圳市2010年科技创新奖（高校和研究院所排名第一，个人排名第一）；2007年IEEE 电子器件和固态电路国际会议（EDSSC’2007）优秀论文奖; 2005年北京大学第三批优秀博士后; 2003年中国科技部发布的2002年SCI论文收录电子学领域全国第一名; 2001年信息产业部”九五”国家重点科技攻关奖: “SOI新材料、新器件研究”; 2001年信息产业部”九五”国家重点科技攻关奖“高速CMOS/SOI电路研究”；2000年中国电子学会元件分会第二届江海杯“电子元件与材料”优秀论文三等奖;1999年中国电子学会元件分会第一届江海杯“电子元件与材料”优秀论文二等奖。

半导体器件，电路模拟和模型工程-ULTRA创立者。国际集成电路界工业标准CMOS模型BSIM4.3.0主要研发者，模型手册主要作者（BSIM4.3.0已经被国际半导体工业界广泛采用，促进了国际集成电路产业的发展）。BSIM5首席研究者，模型手册第一作者（BSIM5 在2004年被CMC选为下一代工业标准芯片仿真模型的四个备选者之一，国际主流集成电路模拟系统均支持BSIM5的电路模拟）。 国际主要半导体公司IBM, INTEL, AMD等采用和验证的BSIMDG模型主要研究人员之一，有关该项工作的成果被发表在IEEE T-ED 上的综述文章（IEEE TED-54, pp.131-141, 2007）称为“何氏模型”，是全世界四个典型代表。在北京大学发展的ULTRA-SOI在2008年5月被CMC选为SOI集成电路技术下一代工业标准芯片仿真模型的四个备选者之一， 发展的ULTRA-FinFET在20012年5月被CMC选为FinFET集成电路技术下一代工业标准芯片仿真模型的两个备选者之一，成为中国微电子为数不多的有国际影响力的成果。提出纳米CMOS参数提取新技术，被发表在Microelectronics Reliability (MER-42, pp.583-596, 2002)上有关阈值电压的综述文章称为“何氏方法”，为近年来11种典型方法之一。 完成有世界水平的纳米CMOS器件完整表面势方程和解析解，研发了国际上有代表性的纳米MOSFET表面势模型。 在国际微电子学术界独创非传统CMOS器件及电路建模的载流子理论和方法，成功应用到场效应纳米器件中。 在微电子学术界和工程领域取得的系列成果享有国际声誉，领导的小组是目前纳米器件物理和电路模型研究最富活力的团队之一。入选2008-2009年度“Marquis Who’s Who”名人录科学与技术分册，相关成就和事迹曾被中国国际广播电台，科学网，深圳特区报，人民日报海外版等媒体报道。